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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS7558S
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS7558S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS7558S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS7558S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 32A/49A 8QFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS7558S.pdf
État RoHS
En stock: 5250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS7558S
onsemi - FDMS7558S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS7558S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 32A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 89W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7770 pF @ 13 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 119 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Ta), 49A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS7558S

Attributs du produit FDMS7558S FDMS7572S FDMS6673BZ FDMS7560S
Modèle de produit FDMS7558S FDMS7572S FDMS6673BZ FDMS7560S
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 32A, 10V 2.9mOhm @ 23A, 10V 6.8mOhm @ 15.2A, 10V 1.45mOhm @ 30A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Ta), 49A (Tc) 23A (Ta), 49A (Tc) 15.2A (Ta), 28A (Tc) 30A (Ta), 49A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7770 pF @ 13 V 2780 pF @ 13 V 5915 pF @ 15 V 5945 pF @ 13 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 30 V 25 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Numéro de produit de base FDMS75 FDMS7572 FDMS6673 FDMS7560
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 119 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries - PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V

Fiche technique FDMS7558S PDF

Téléchargez FDMS7558S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS7558S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 1/Feb/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
FDMSyyy 16/Mar/2020.pdf
Feuilles de données
FDMS7558S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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