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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS030N06B
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS030N06B - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS030N06B
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS030N06B
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS030N06B.pdf
État RoHS
En stock: 24322

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS030N06B
onsemi - FDMS030N06B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS030N06B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7560 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22.1A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS030  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS030N06B

Attributs du produit FDMS030N06B FDMS0310S FDMS0312S FDMS0312S
Modèle de produit FDMS030N06B FDMS0310S FDMS0312S FDMS0312S
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base FDMS030 - - FDMS0312
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22.1A (Ta), 100A (Tc) 19A (Ta), 42A (Tc) 19A (Ta), 42A (Tc) 19A (Ta), 42A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7560 pF @ 30 V 2820 pF @ 15 V 2820 pF @ 15 V 2820 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V 4mOhm @ 18A, 10V 4.9mOhm @ 18A, 10V 4.9mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Séries PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™

Fiche technique FDMS030N06B PDF

Téléchargez FDMS030N06B PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS030N06B - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 28/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
FDMS030N06B.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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