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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS0309AS
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS0309AS - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS0309AS
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS0309AS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS0309AS.pdf
État RoHS
En stock: 72470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS0309AS
onsemi - FDMS0309AS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS0309AS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 49A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS03  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS0309AS

Attributs du produit FDMS0309AS FDMS030N06B FDMS0308CS FDMS0310S
Modèle de produit FDMS0309AS FDMS030N06B FDMS0308CS FDMS0310S
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® - PowerTrench®, SyncFET™
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Numéro de produit de base FDMS03 FDMS030 FDMS03 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 15 V 7560 pF @ 30 V 4225 pF @ 15 V 2820 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 4.5V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V - 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 30 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 49A (Tc) 22.1A (Ta), 100A (Tc) 22A (Ta) 19A (Ta), 42A (Tc)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 21A, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 3mOhm @ 21A, 10V 4mOhm @ 18A, 10V

Fiche technique FDMS0309AS PDF

Téléchargez FDMS0309AS PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS0309AS - onsemi.

Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
FDMS0309AS.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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