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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMQ86530L
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMQ86530L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMQ86530L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMQ86530L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Description détaillée
Emballage
12-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
FDMQ86530L.pdf
État RoHS
En stock: 28801

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMQ86530L
onsemi - FDMQ86530L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMQ86530L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 12-MLP (5x4.5)  
Séries GreenBridge™ PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 8A, 10V  
Puissance - Max 1.9W  
Package / Boîte 12-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2295pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 4 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base FDMQ86530  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMQ86530L

Attributs du produit FDMQ86530L FDMQ8403 FDMQ8203 FDML7610S
Modèle de produit FDMQ86530L FDMQ8403 FDMQ8203 FDML7610S
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base FDMQ86530 FDMQ84 FDMQ82 FDML7610
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 8A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V 7.5mOhm @ 12A, 10V
Séries GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® PowerTrench®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 3.1A 3.4A, 2.6A 12A, 17A
Configuration 4 N-Channel (Half Bridge) 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2295pF @ 30V 215pF @ 15V 210pF @ 50V 1750pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 5nC @ 10V 5nC @ 10V 28nC @ 10V
Puissance - Max 1.9W 1.9W 2.5W 800mW, 900mW
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Package composant fournisseur 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 8-MLP (3x4.5)
Package / Boîte 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60V 100V 100V, 80V 30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FDMQ86530L PDF

Téléchargez FDMQ86530L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMQ86530L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Notes d'application
Quad MOSFET Approach Delivers Dramatic PoE Improve.pdf
Feuilles de données
FDMQ86530L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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