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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDMQ8403
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMQ8403 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMQ8403
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMQ8403
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Description détaillée
Emballage
12-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
FDMQ8403.pdf
État RoHS
En stock: 18096

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMQ8403
onsemi - FDMQ8403 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMQ8403

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 12-MLP (5x4.5)  
Séries GreenBridge™ PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V  
Puissance - Max 1.9W  
Package / Boîte 12-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A  
Configuration 4 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base FDMQ84  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMQ8403

Attributs du produit FDMQ8403 FDMQ8403 FDML7610S FDMQ8203
Modèle de produit FDMQ8403 FDMQ8403 FDML7610S FDMQ8203
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A 3.1A 12A, 17A 3.4A, 2.6A
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V 7.5mOhm @ 12A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN 12-WDFN Exposed Pad
Séries GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V 5nC @ 10V 28nC @ 10V 5nC @ 10V
Configuration 4 N-Channel (Half Bridge) 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Numéro de produit de base FDMQ84 FDMQ84 FDML7610 FDMQ82
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 1.9W 1.9W 800mW, 900mW 2.5W
Package composant fournisseur 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 8-MLP (3x4.5) 12-MLP (5x4.5)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 15V 215pF @ 15V 1750pF @ 15V 210pF @ 50V
Tension drain-source (Vdss) 100V 100V 30V 100V, 80V

Fiche technique FDMQ8403 PDF

Téléchargez FDMQ8403 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMQ8403 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
FDMQ8403.pdf
Notes d'application
Quad MOSFET Approach Delivers Dramatic PoE Improve.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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