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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC4D9P20X8
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMC4D9P20X8 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC4D9P20X8
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC4D9P20X8
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMC4D9P20X8.pdf
État RoHS
En stock: 93880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMC4D9P20X8
onsemi - FDMC4D9P20X8 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC4D9P20X8

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 18A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10550 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 75A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMC4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC4D9P20X8

Attributs du produit FDMC4D9P20X8 FDMC610P FDMC3612 FDMC4435BZ-F126
Modèle de produit FDMC4D9P20X8 FDMC610P FDMC3612 FDMC4435BZ-F126
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base FDMC4 FDMC610 - FDMC4435
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 18A, 4.5V 3.9mOhm @ 22A, 4.5V 110mOhm @ 3.3A, 10V 20mOhm @ 8.5A, 10V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 75A (Tc) 80A (Tc) 3.3A (Ta), 16A (Tc) 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Vgs (Max) ±12V ±8V ±20V ±25V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10550 pF @ 10 V 1250 pF @ 6 V 880 pF @ 50 V 2045 pF @ 15 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3) Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 6V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 4.5 V 99 nC @ 4.5 V 21 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 40W (Tc) 2.4W (Ta), 48W (Tc) 2.3W (Ta), 35W (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 12 V 100 V 30 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN

Fiche technique FDMC4D9P20X8 PDF

Téléchargez FDMC4D9P20X8 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMC4D9P20X8 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Sep/2022.pdf
Feuilles de données
FDMC4D9P20X8.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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