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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC3612
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMC3612 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC3612
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC3612
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMC3612.pdf
État RoHS
En stock: 67630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMC3612
onsemi - FDMC3612 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC3612

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-MLP (3.3x3.3)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 35W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Ta), 16A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMC36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC3612

Attributs du produit FDMC3612 FDMC2D8N025S FDMC4435BZ FDMC4435BZ-F126
Modèle de produit FDMC3612 FDMC2D8N025S FDMC4435BZ FDMC4435BZ-F126
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V 1.9mOhm @ 28A, 10V 20mOhm @ 8.5A, 10V 20mOhm @ 8.5A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-MLP (3.3x3.3) Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V 4615 pF @ 13 V 2045 pF @ 15 V 2045 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Ta), 16A (Tc) 124A (Tc) 8.5A (Ta), 18A (Tc) 8.5A (Ta), 18A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries PowerTrench® - PowerTrench® PowerTrench®
Numéro de produit de base FDMC36 FDMC2D8 FDMC4435 FDMC4435
Tension drain-source (Vdss) 100 V 25 V 30 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 35W (Tc) 47W (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±25V ±25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique FDMC3612 PDF

Téléchargez FDMC3612 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMC3612 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMC/FR014 29/Mar/2022.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
FDMC3612.pdf
Assemblage / origine PCN
Capacity Expansion 12/Aug/2020.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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