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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDI33N25TU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDI33N25TU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDI33N25TU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDI33N25TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
FDB,I33N25.pdf
En stock: 3930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDI33N25TU
onsemi - FDI33N25TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDI33N25TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 235W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  
Numéro de produit de base FDI33  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDI33N25TU

Attributs du produit FDI33N25TU FDI047AN08A0 FDI150N10 FDI2532
Modèle de produit FDI33N25TU FDI047AN08A0 FDI150N10 FDI2532
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 250 V 75 V 100 V 150 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 235W (Tc) 310W (Tc) 110W (Tc) 310W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 4760 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base FDI33 FDI047 FDI150 FDI2532
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 80A (Tc) 57A (Tc) 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 16mOhm @ 49A, 10V 16mOhm @ 33A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries UniFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Fiche technique FDI33N25TU PDF

Téléchargez FDI33N25TU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDI33N25TU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDB,I33N25.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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