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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDI045N10A
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDI045N10A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDI045N10A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDI045N10A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
FDP045N10A, FDI045N10A.pdf
En stock: 4570

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDI045N10A
onsemi - FDI045N10A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDI045N10A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 263W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base FDI045  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDI045N10A

Attributs du produit FDI045N10A FDI33N25TU FDI047AN08A0 FDI2532
Modèle de produit FDI045N10A FDI33N25TU FDI047AN08A0 FDI2532
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V 2135 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 250 V 75 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 33A (Tc) 80A (Tc) 8A (Ta), 79A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FDI045 - FDI047 FDI2532
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 16mOhm @ 33A, 10V
Dissipation de puissance (max) 263W (Tc) 235W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique FDI045N10A PDF

Téléchargez FDI045N10A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDI045N10A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDP045N10A, FDI045N10A.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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