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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDG6314P
FDG6314P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDG6314P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDG6314P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDG6314P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
FDG6314P.pdf
En stock: 4510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDG6314P
onsemi - FDG6314P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDG6314P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-88 (SC-70-6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Puissance - Max -  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDG6314  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDG6314P

Attributs du produit FDG6314P FDG6317NZ FDG6308P FDG6316P
Modèle de produit FDG6314P FDG6317NZ FDG6308P FDG6316P
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id - 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Numéro de produit de base FDG6314 FDG6317 FDG6308 FDG6316
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 700mA 600mA 700mA
Package composant fournisseur SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Séries - PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 400mOhm @ 700mA, 4.5V 400mOhm @ 600mA, 4.5V 270mOhm @ 700mA, 4.5V
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 1.1nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 2.4nC @ 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 25V 20V 20V 12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 66.5pF @ 10V 153pF @ 10V 146pF @ 6V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Puissance - Max - 300mW 300mW 300mW

Fiche technique FDG6314P PDF

Téléchargez FDG6314P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDG6314P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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