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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDC642P
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDC642P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDC642P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDC642P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
FDC642P.pdf
État RoHS
En stock: 197540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDC642P
onsemi - FDC642P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDC642P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SuperSOT™-6  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 925 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base FDC642  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDC642P

Attributs du produit FDC642P FDC640P FDC642P-F085P FDC642P
Modèle de produit FDC642P FDC640P FDC642P-F085P FDC642P
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 4.5A (Ta) 4A (Ta) 4A (Ta)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Séries PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench®
Package composant fournisseur SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 TSOT-23-6 SuperSOT™-6
Numéro de produit de base FDC642 FDC640 FDC642 -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V ±12V ±8V ±8V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V 53mOhm @ 4.5A, 4.5V 65mOhm @ 4A, 4.5V 65mOhm @ 4A, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 925 pF @ 10 V 890 pF @ 10 V 630 pF @ 10 V 925 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.2W (Ta) 1.6W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique FDC642P PDF

Téléchargez FDC642P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDC642P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 08/April/2008.pdf FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007.pdf
Feuilles de données
FDC642P.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Test Chg 30/Apr/2019.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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