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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDC642P-F085P
FDC642P-F085P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDC642P-F085P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDC642P-F085P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDC642P-F085P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
FDC642P-F085.pdf
État RoHS
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDC642P-F085P
onsemi - FDC642P-F085P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDC642P-F085P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSOT-23-6  
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base FDC642  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDC642P-F085P

Attributs du produit FDC642P-F085P FDC645N FDC645N FDC642P
Modèle de produit FDC642P-F085P FDC645N FDC645N FDC642P
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 5.5A (Ta) 5.5A (Ta) 4A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V 925 pF @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V 26mOhm @ 6.2A, 10V 26mOhm @ 6.2A, 10V 65mOhm @ 4A, 4.5V
Package composant fournisseur TSOT-23-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±8V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 1.2W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Numéro de produit de base FDC642 FDC645 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -

Fiche technique FDC642P-F085P PDF

Téléchargez FDC642P-F085P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDC642P-F085P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
FDC642P-F085.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Trsf 7/Mar/2019.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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