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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB8453LZ
FDB8453LZ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB8453LZ - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDB8453LZ
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDB8453LZ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FDB8453LZ.pdf
En stock: 4060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB8453LZ
onsemi - FDB8453LZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDB8453LZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 66W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3545 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16.1A (Ta), 50A (Tc)  
Numéro de produit de base FDB845  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDB8453LZ

Attributs du produit FDB8453LZ FDB8443 FDB86102LZ FDB8447L
Modèle de produit FDB8453LZ FDB8443 FDB86102LZ FDB8447L
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17.6A, 10V 3mOhm @ 80A, 10V 24mOhm @ 8.3A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16.1A (Ta), 50A (Tc) 25A (Ta), 120A (Tc) 8.3A (Ta), 30A (Tc) 15A (Ta), 50A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 66W (Tc) 188W (Tc) 3.1W (Ta) 3.1W (Ta), 60W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3545 pF @ 20 V 9310 pF @ 25 V 1275 pF @ 50 V 2620 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FDB845 - - FDB8447
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)

Fiche technique FDB8453LZ PDF

Téléchargez FDB8453LZ PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDB8453LZ - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDB8453LZ.pdf

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Italie 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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