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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB8444-F085
FDB8444-F085 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB8444-F085 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDB8444-F085
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDB8444-F085
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FDB8444_F085.pdf
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB8444-F085
onsemi - FDB8444-F085 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDB8444-F085

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 70A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8035 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  
Numéro de produit de base FDB844  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDB8444-F085

Attributs du produit FDB8444-F085 FDB8441 FDB86102LZ FDB8444
Modèle de produit FDB8444-F085 FDB8441 FDB86102LZ FDB8444
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 128 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FDB844 FDB844 FDB86102 FDB844
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 28A (Ta), 120A (Tc) 8.3A (Ta), 30A (Tc) 70A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8035 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V 1275 pF @ 50 V 8035 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 70A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 24mOhm @ 8.3A, 10V 5.5mOhm @ 70A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc) 300W (Tc) 3.1W (Ta) 167W (Tc)

Fiche technique FDB8444-F085 PDF

Téléchargez FDB8444-F085 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDB8444-F085 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
FDB8444_F085.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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