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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB6690S
FDB6690S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB6690S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDB6690S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDB6690S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FDB6690S, FDP6690S.pdf
En stock: 4200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB6690S
onsemi - FDB6690S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDB6690S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1238 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Ta)  
Numéro de produit de base FDB669  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDB6690S

Attributs du produit FDB6690S FDB7030BL FDB6690S FDB7030BL
Modèle de produit FDB6690S FDB7030BL FDB6690S FDB7030BL
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc) 60W (Tc) 48W (Tc) 60W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FDB669 FDB703 - FDB703
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 24 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 24 nC @ 5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Ta) 60A (Ta) 42A (Ta) 60A (Ta)
Séries PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-263AB D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 21A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 15.5mOhm @ 21A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1238 pF @ 15 V 1760 pF @ 15 V 1238 pF @ 15 V 1760 pF @ 15 V

Fiche technique FDB6690S PDF

Téléchargez FDB6690S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDB6690S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDB6690S, FDP6690S.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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