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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB6670AS
FDB6670AS Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB6670AS - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDB6670AS
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDB6670AS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FDB6670AS, FDP6670AS.pdf
En stock: 4720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB6670AS
onsemi - FDB6670AS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDB6670AS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 31A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 15 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 62A (Ta)  
Numéro de produit de base FDB667  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDB6670AS

Attributs du produit FDB6670AS FDB6670AL FDB6690S FDB603AL
Modèle de produit FDB6670AS FDB6670AL FDB6690S FDB603AL
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 62A (Ta) 80A (Ta) 42A (Ta) 33A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc) 68W (Tc) 48W (Tc) 50W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base FDB667 - FDB669 -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-263AB
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 15 V 33 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 26 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 31A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V 15.5mOhm @ 21A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 15 V 2440 pF @ 15 V 1238 pF @ 15 V 670 pF @ 15 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique FDB6670AS PDF

Téléchargez FDB6670AS PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDB6670AS - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Feuilles de données
FDB6670AS, FDP6670AS.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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