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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCPF067N65S3
FCPF067N65S3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCPF067N65S3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCPF067N65S3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCPF067N65S3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FCPF067N65S3.pdf
État RoHS
En stock: 8181

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCPF067N65S3
onsemi - FCPF067N65S3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCPF067N65S3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  
Numéro de produit de base FCPF067  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCPF067N65S3

Attributs du produit FCPF067N65S3 FCP600N60Z FCPF11N60T FCP4N60
Modèle de produit FCPF067N65S3 FCP600N60Z FCPF11N60T FCP4N60
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Séries SuperFET® III SuperFET® II SuperFET™ SuperFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V 600mOhm @ 3.7A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V
Numéro de produit de base FCPF067 - FCPF11 FCP4
Dissipation de puissance (max) 46W (Tc) 89W (Tc) 36W (Tc) 50W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 7.4A (Tc) 11A (Tc) 3.9A (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V 1120 pF @ 25 V 1490 pF @ 25 V 540 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220-3 TO-220F TO-220-3

Fiche technique FCPF067N65S3 PDF

Téléchargez FCPF067N65S3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCPF067N65S3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf FCB0 19/Jul/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FCPF067N65S3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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