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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP9N60N
FCP9N60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP9N60N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP9N60N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP9N60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FCPF9N60N, FCPF9N60T.pdf
État RoHS
En stock: 3600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP9N60N
onsemi - FCP9N60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP9N60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries SuperMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83.3W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)  
Numéro de produit de base FCP9N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP9N60N

Attributs du produit FCP9N60N FCP4N60 FCPF11N60 FCPF067N65S3
Modèle de produit FCP9N60N FCP4N60 FCPF11N60 FCPF067N65S3
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Séries SuperMOS™ SuperFET™ SuperFET™ SuperFET® III
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V 540 pF @ 25 V 1490 pF @ 25 V 3090 pF @ 400 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 4.5A, 10V 1.2Ohm @ 2A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 83.3W (Tc) 50W (Tc) 36W (Tc) 46W (Tc)
Numéro de produit de base FCP9N60 FCP4 FCPF11 FCPF067
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc) 3.9A (Tc) 11A (Tc) 44A (Tc)

Fiche technique FCP9N60N PDF

Téléchargez FCP9N60N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP9N60N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FCPF9N60N, FCPF9N60T.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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