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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP190N60E
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP190N60E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP190N60E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP190N60E
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
Datasheet.pdf
En stock: 4460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP190N60E
onsemi - FCP190N60E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP190N60E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 208W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3175 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20.6A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP190N60E

Attributs du produit FCP190N60E FCP16N60 FCP16N60N FCP190N60-GF102
Modèle de produit FCP190N60E FCP16N60 FCP16N60N FCP190N60-GF102
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V 260mOhm @ 8A, 10V 199mOhm @ 8A, 10V 199mOhm @ 10A, 10V
Emballer Bulk Bulk Tube Bulk
Dissipation de puissance (max) 208W (Tc) 167W (Tc) 134.4W (Tc) 208W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Séries SuperFET® II SuperFET™ SupreMOS™ SuperFET® II
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20.6A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc) 20.2A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 52.3 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3175 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 2170 pF @ 100 V 2950 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique FCP190N60E PDF

Téléchargez FCP190N60E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP190N60E - onsemi.

Feuilles de données
Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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