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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP21N60N
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP21N60N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP21N60N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP21N60N
Modèle ECAD
Description des pièces
FCP21N60 - N-CHANNEL, MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
i.MX 6 Ultra Light.pdf
En stock: 14218

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP21N60N
onsemi - FCP21N60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP21N60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP21N60N

Attributs du produit FCP21N60N FCP25N60N FCP22N60N FCP190N65F
Modèle de produit FCP21N60N FCP25N60N FCP22N60N FCP190N65F
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 25A (Tc) 22A (Tc) 20.6A (Tc)
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 2mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 125mOhm @ 12.5A, 10V 165mOhm @ 11A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Bulk Tube Tube Bulk
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) - 216W (Tc) 205W (Tc) 208W (Tc)
Séries - SupreMOS™ SupreMOS™ FRFET®, SuperFET® II

Fiche technique FCP21N60N PDF

Téléchargez FCP21N60N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP21N60N - onsemi.

Feuilles de données
i.MX 6 Ultra Light.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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