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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH099N65S3-F155
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH099N65S3-F155 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH099N65S3-F155
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH099N65S3-F155
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH099N65S3.pdf
État RoHS
En stock: 9574

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH099N65S3-F155
onsemi - FCH099N65S3-F155 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH099N65S3-F155

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 227W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH099  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH099N65S3-F155

Attributs du produit FCH099N65S3-F155 FCH104N60 FCH085N80-F155 FCH104N60F
Modèle de produit FCH099N65S3-F155 FCH104N60 FCH085N80-F155 FCH104N60F
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 400 V 4165 pF @ 380 V 10825 pF @ 100 V 5950 pF @ 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 37A (Tc) 46A (Tc) 37A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base FCH099 FCH104 - FCH104
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.6mA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 227W (Tc) 357W (Tc) 446W (Tc) 357W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 800 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 85mOhm @ 23A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II HiPerFET™, Polar™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 255 nC @ 10 V 139 nC @ 10 V

Fiche technique FCH099N65S3-F155 PDF

Téléchargez FCH099N65S3-F155 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH099N65S3-F155 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Emballage PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FCH099N65S3.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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