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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxEFC6602R-A-TR
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EFC6602R-A-TR - onsemi

Fabricant Modèle de produit
EFC6602R-A-TR
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-EFC6602R-A-TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH EFCP
Description détaillée
Emballage
6-XFBGA, FCBGA
Fiche technique
EFC6602R-A-TR.pdf
État RoHS
En stock: 5290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EFC6602R-A-TR
onsemi - EFC6602R-A-TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - EFC6602R-A-TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur EFCP2718-6CE-020  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 6-XFBGA, FCBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base EFC6602  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi EFC6602R-A-TR

Attributs du produit EFC6602R-A-TR EFC6605R-TR EFC6602R-TR EFC6601R-TR
Modèle de produit EFC6602R-A-TR EFC6605R-TR EFC6602R-TR EFC6601R-TR
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V 19.8nC @ 4.5V 55nC @ 4.5V 48nC @ 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - - - -
Puissance - Max 2W 1.6W 2W 2W
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Numéro de produit de base EFC6602 EFC6605 EFC6602 EFC6601
Tension drain-source (Vdss) - - - -
Package composant fournisseur EFCP2718-6CE-020 6-EFCP (1.9x1.46) EFCP2718-6CE-020 EFCP2718-6CE-020
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Package / Boîte 6-XFBGA, FCBGA 6-SMD, No Lead 6-XFBGA, FCBGA 6-XFBGA, FCBGA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive
Séries - - - -

Fiche technique EFC6602R-A-TR PDF

Téléchargez EFC6602R-A-TR PDF DataSheets et Documentation onsemi pour EFC6602R-A-TR - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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