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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxEFC4C002NLTDG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EFC4C002NLTDG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
EFC4C002NLTDG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-EFC4C002NLTDG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 8WLCSP
Description détaillée
Emballage
8-XFBGA, WLCSP
Fiche technique
EFC4C002NL.pdf
État RoHS
En stock: 12035

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EFC4C002NLTDG
onsemi - EFC4C002NLTDG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - EFC4C002NLTDG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WLCSP (6x2.5)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Puissance - Max 2.6W  
Package / Boîte 8-XFBGA, WLCSP  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base EFC4C002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi EFC4C002NLTDG

Attributs du produit EFC4C002NLTDG EFC6605R-TR EFC4619R-TR EFC4C002NLTDG
Modèle de produit EFC4C002NLTDG EFC6605R-TR EFC4619R-TR EFC4C002NLTDG
Fabricant onsemi onsemi onsemi Texas Instruments
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V 19.8nC @ 4.5V 21.7nC @ 4.5V 45nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) - - - -
Package / Boîte 8-XFBGA, WLCSP 6-SMD, No Lead 4-XFBGA, FCBGA 8-XFBGA, WLCSP
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Numéro de produit de base EFC4C002 EFC6605 EFC4619 EFC4C002
Package composant fournisseur 8-WLCSP (6x2.5) 6-EFCP (1.9x1.46) EFCP1616-4CE-022 8-WLCSP (6x2.5)
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Puissance - Max 2.6W 1.6W 1.6W 2.6W
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 15V - - 6200pF @ 15V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA - - 2.2V @ 1mA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -

Fiche technique EFC4C002NLTDG PDF

Téléchargez EFC4C002NLTDG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour EFC4C002NLTDG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Mar/2023.pdf
Feuilles de données
EFC4C002NL.pdf
Assemblage / origine PCN
Cancellation 11/Oct/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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