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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxECH8663R-TL-H
ECH8663R-TL-H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ECH8663R-TL-H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
ECH8663R-TL-H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-ECH8663R-TL-H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
ECH8663R.pdf
État RoHS
En stock: 54010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ECH8663R-TL-H
onsemi - ECH8663R-TL-H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - ECH8663R-TL-H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-ECH  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 4A, 4.5V  
Puissance - Max 1.5W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base ECH8663  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi ECH8663R-TL-H

Attributs du produit ECH8663R-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-TL-H ECH8667-TL-H
Modèle de produit ECH8663R-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-TL-H ECH8667-TL-H
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 4.5A 7A 5.5A
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30V 35V 30V 30V
Numéro de produit de base ECH8663 ECH8657 ECH8659 ECH8667
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 4A, 4.5V 59mOhm @ 2A, 10V 24mOhm @ 3.5A, 10V 39mOhm @ 2.5A, 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Package composant fournisseur 8-ECH 8-ECH 8-ECH 8-ECH
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 230pF @ 20V 710pF @ 10V 600pF @ 10V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 4.5V 4.5nC @ 10V 11.8nC @ 10V 13nC @ 10V
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Puissance - Max 1.5W 1.5W 1.5W 1.5W

Fiche technique ECH8663R-TL-H PDF

Téléchargez ECH8663R-TL-H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour ECH8663R-TL-H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
ECH8663R.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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