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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxECH8659-M-TL-H
ECH8659-M-TL-H Image
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ECH8659-M-TL-H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
ECH8659-M-TL-H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-ECH8659-M-TL-H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
ECH8659.pdf
Notre certification
En stock: 5280

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques ECH8659-M-TL-H
onsemi - ECH8659-M-TL-H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - ECH8659-M-TL-H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-ECH  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 3.5A, 10V  
Puissance - Max 1.5W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate, 4V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base ECH8659  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi ECH8659-M-TL-H

Attributs du produit ECH8659-M-TL-H ECH8659-TL-H ECH8667-TL-H ECH8664R-TL-H
Modèle de produit ECH8659-M-TL-H ECH8659-TL-H ECH8667-TL-H ECH8664R-TL-H
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Puissance - Max 1.5W 1.5W 1.5W 1.4W
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-ECH 8-ECH 8-ECH 8-ECH
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 10V 710pF @ 10V 600pF @ 10V -
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 3.5A, 10V 24mOhm @ 3.5A, 10V 39mOhm @ 2.5A, 10V 23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A 7A 5.5A 7A
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 10V 11.8nC @ 10V 13nC @ 10V 10nC @ 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Séries - - - -
Numéro de produit de base ECH8659 ECH8659 ECH8667 ECH8664

Fiche technique ECH8659-M-TL-H PDF

Téléchargez ECH8659-M-TL-H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour ECH8659-M-TL-H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL 18/Oct/2016.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire Update 03/Apr/2015.pdf
Feuilles de données
ECH8659.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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