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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBVSS123LT1G
BVSS123LT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BVSS123LT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
BVSS123LT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-BVSS123LT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BSS123LT1G, BVSS123LT1G.pdf
État RoHS
En stock: 430950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BVSS123LT1G
onsemi - BVSS123LT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - BVSS123LT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 225mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170mA (Ta)  
Numéro de produit de base BVSS123  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi BVSS123LT1G

Attributs du produit BVSS123LT1G IXTP05N100 STE40NC60 TN0106N3-G-P003
Modèle de produit BVSS123LT1G IXTP05N100 STE40NC60 TN0106N3-G-P003
Fabricant onsemi IXYS STMicroelectronics Microchip Technology
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base BVSS123 IXTP05 STE40 TN0106
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 130mOhm @ 20A, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) TO-220-3 ISOTOP® TO-92-3
Dissipation de puissance (max) 225mW (Ta) 40W (Tc) 460W (Tc) 1W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 11100 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 1000 V 600 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Séries Automotive, AEC-Q101 - PowerMESH™ II -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 ISOTOP TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 170mA (Ta) 750mA (Tc) 40A (Tc) 350mA (Tj)

Fiche technique BVSS123LT1G PDF

Téléchargez BVSS123LT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour BVSS123LT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SOT23 27/Sep/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
Feuilles de données
BSS123LT1G, BVSS123LT1G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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