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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBS170-D26Z
BS170-D26Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BS170-D26Z - onsemi

Fabricant Modèle de produit
BS170-D26Z
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-BS170-D26Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Fiche technique
BS170-D26Z.pdf
État RoHS
En stock: 375840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BS170-D26Z
onsemi - BS170-D26Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - BS170-D26Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 830mW (Ta)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta)  
Numéro de produit de base BS170  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi BS170-D26Z

Attributs du produit BS170-D26Z BS170-D75Z BS108ZL1G BS107P
Modèle de produit BS170-D26Z BS170-D75Z BS108ZL1G BS107P
Fabricant onsemi onsemi onsemi Diodes Incorporated
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 40 pF @ 10 V 150 pF @ 25 V -
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Bulk
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 1.5V @ 1mA -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 200 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V 8Ohm @ 100mA, 2.8V 30Ohm @ 100mA, 5V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 2V, 2.8V 2.6V, 5V
Package composant fournisseur TO-92-3 TO-92-3 TO-92 (TO-226) TO-92
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Numéro de produit de base BS170 BS170 BS108 BS107
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 830mW (Ta) 830mW (Ta) 350mW (Ta) 500mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta) 500mA (Ta) 250mA (Ta) 120mA (Ta)

Fiche technique BS170-D26Z PDF

Téléchargez BS170-D26Z PDF DataSheets et Documentation onsemi pour BS170-D26Z - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO92 Packing Updates 01/Jul/2015.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Transfer.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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