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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBFL4037-1E
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BFL4037-1E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
BFL4037-1E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-BFL4037-1E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
BFL4037-1E.pdf
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BFL4037-1E
onsemi - BFL4037-1E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - BFL4037-1E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3FS  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base BFL40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi BFL4037-1E

Attributs du produit BFL4037-1E BFL4001-1E PMN27XPE,115 BFL4036
Modèle de produit BFL4037-1E BFL4001-1E PMN27XPE,115 BFL4036
Fabricant onsemi onsemi Nexperia USA Inc. Sanyo
Numéro de produit de base BFL40 BFL40 - -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 40W (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) 530mW (Ta), 8.33W (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 900 V 20 V 500 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 2.5V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 8A, 10V 2.7Ohm @ 3.25A, 10V 30mOhm @ 3A, 4.5V 520mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id - - 1.25V @ 250µA 5V @ 1mA
Package composant fournisseur TO-220F-3FS TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG 6-TSOP TO-220F-3FS
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack SC-74, SOT-457 TO-220-3 Full Pack
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 30 V 850 pF @ 30 V 1770 pF @ 10 V 1000 pF @ 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C
Vgs (Max) ±30V ±30V ±12V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48.6 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 22.5 nC @ 4.5 V 38.4 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 4.1A (Tc) 4.4A (Ta) 9.6A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

Fiche technique BFL4037-1E PDF

Téléchargez BFL4037-1E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour BFL4037-1E - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 24/Jul/2015.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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