Spécifications techniques BFL4004-1E
onsemi - BFL4004-1E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - BFL4004-1E

Attributs du produit	Valeur des attributs
Fabricant	onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	TO-220F-3FS
Séries	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 3.25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta), 36W (Tc)
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack
Emballer	Tube

Attributs du produit	Valeur des attributs
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.3A (Tc)
Numéro de produit de base	BFL40

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi BFL4004-1E

Attributs du produit
Modèle de produit	BFL4004-1E	IRFSL7434PBF	BFL4037-1E	BFL4026-1E
Fabricant	onsemi	International Rectifier	onsemi	onsemi
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta), 36W (Tc)	294W (Tc)	2W (Ta), 40W (Tc)	2W (Ta), 35W (Tc)
Séries	-	HEXFET®, StrongIRFET™	-	-
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.3A (Tc)	195A (Tc)	11A (Tc)	3.5A (Tc)
Vgs (Max)	±30V	±20V	±30V	±30V
type de FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Package composant fournisseur	TO-220F-3FS	TO-262	TO-220F-3FS	TO-220F-3FS
Numéro de produit de base	BFL40	-	BFL40	BFL4026
Type de montage	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 30 V	10820 pF @ 25 V	1200 pF @ 30 V	650 pF @ 30 V
Emballer	Tube	Bulk	Tube	Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V	324 nC @ 10 V	48.6 nC @ 10 V	33 nC @ 10 V
Fonction FET	-	-	-	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	6V, 10V	10V	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 3.25A, 10V	1.6mOhm @ 100A, 10V	430mOhm @ 8A, 10V	3.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-	3.9V @ 250µA	-	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)	800 V	40 V	500 V	900 V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique BFL4004-1E PDF

Téléchargez BFL4004-1E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour BFL4004-1E - onsemi.

Informations environnementales: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL: Mult Devices 28/Apr/2017.pdf
Feuilles de données: BFL4004.pdf

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