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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBBS3002-DL-E
BBS3002-DL-E Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BBS3002-DL-E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
BBS3002-DL-E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-BBS3002-DL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FD
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
BBS3002-DL-E.pdf
En stock: 4890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BBS3002-DL-E
onsemi - BBS3002-DL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - BBS3002-DL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SMP-FD  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base BBS300  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi BBS3002-DL-E

Attributs du produit BBS3002-DL-E FDS8874 SI4420DYTRPBF DMTH4007LK3Q-13
Modèle de produit BBS3002-DL-E FDS8874 SI4420DYTRPBF DMTH4007LK3Q-13
Fabricant onsemi onsemi Infineon Technologies Diodes Incorporated
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 20 V 3990 pF @ 15 V 2240 pF @ 15 V 1895 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V 5.5mOhm @ 16A, 10V 9mOhm @ 12.5A, 10V 7.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 29.1 nC @ 10 V
Séries - PowerTrench® HEXFET® Automotive, AEC-Q101
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id - 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 16A (Ta) 12.5A (Ta) 16.8A (Ta), 70A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base BBS300 FDS88 - DMTH4007
Package composant fournisseur SMP-FD 8-SOIC 8-SO TO-252-3
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.6W (Ta)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 40 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique BBS3002-DL-E PDF

Téléchargez BBS3002-DL-E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour BBS3002-DL-E - onsemi.

Informations environnementales
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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