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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2V7002KT1G
2V7002KT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2V7002KT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
2V7002KT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-2V7002KT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
2N/V7002K Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 532350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2V7002KT1G
onsemi - 2V7002KT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 2V7002KT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300mW (Tj)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24.5 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 320mA (Ta)  
Numéro de produit de base 2V7002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 2V7002KT1G

Attributs du produit 2V7002KT1G STP260N6F6 IRFZ44ZPBF AON2411
Modèle de produit 2V7002KT1G STP260N6F6 IRFZ44ZPBF AON2411
Fabricant onsemi STMicroelectronics Infineon Technologies Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numéro de produit de base 2V7002 STP260 IRFZ44 AON24
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V 183 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 30 nC @ 4.5 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 TO-220-3 8-PowerWFDFN
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 320mA (Ta) 120A (Tc) 51A (Tc) 20A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24.5 pF @ 20 V 11400 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 2180 pF @ 6 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 900mV @ 250µA
Séries Automotive, AEC-Q101 DeepGATE™, STripFET™ VI HEXFET® -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 12 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 3mOhm @ 60A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
Dissipation de puissance (max) 300mW (Tj) 300W (Tc) 80W (Tc) 5W (Ta)
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) TO-220 TO-220AB 8-DFN (2x2)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 1.8V, 4.5V

Fiche technique 2V7002KT1G PDF

Téléchargez 2V7002KT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 2V7002KT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SOT23 27/Sep/2016.pdf 2V7002KT1G 10/Jan/2023.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices Mold Compound 25/Apr/2018.pdf
Feuilles de données
2N/V7002K Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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