Le Pmv65xp représente un exemple élégant d'un transistor à effet de champ en mode P (FET), niché dans un boîtier en plastique SOT23 élégant.Exploitant la puissance de la technologie avancée MOSFET de tranchée, ce modèle apporte un sentiment de fiabilité et de rapidité à la commutation électronique.Avec ses capacités caractéristiques de faible résistance et de commutation rapide, il prend superbement des applications en électronique où la précision et l'efficacité sont intrinsèquement valorisées.Au sein de la technologie MOSFET Trench se trouve une conception structurelle révolutionnaire, avec un canal vertical gravé dans le substrat de silicium.Ce décalage de paradigme réduit notamment la résistance sur la résistance, augmentant ainsi la conductivité et minimisant la dissipation de puissance pendant le fonctionnement.Les effets pratiques se manifestent dans la durée de vie de la batterie allongée pour les gadgets portables et l'efficacité énergétique améliorée dans les circuits de gestion de l'alimentation.
Admiré pour sa compacité et sa durabilité, le package SOT23 facilite l'innovation dans les espaces de bandes de circuits imprimés contraints.Cette miniaturisation s'aligne parfaitement sur les exigences des appareils électroniques contemporains, traduisant souvent par la polyvalence de conception augmentée et réduit les dépenses de fabrication.Le PMV65XP trouve un écosystème florissant dans les circuits électroniques, en particulier dans les systèmes de gestion de l'alimentation pour les appareils portables.Ses attributs uniques répondent aux exigences de performance adaptatives de ces gadgets.Dans le paysage industriel et les cadres automobiles, le PMV65XP est un parangon de fiabilité et de ténacité.Même au milieu de l'imprévisibilité des variations de tension, il offre systématiquement des performances.Sa technologie de tranchée est bien adaptée aux environnements difficiles qui exigent la durabilité, illustrant son rôle dans les solutions industrielles innovantes pionnières, affirmant sa valeur aux parties prenantes qui visent à la fiabilité et à la longévité.
• Tension de seuil diminuée: la tension de seuil réduite du PMV65XP joue un rôle dans l'amélioration de l'efficacité énergétique.En activant à une tension inférieure, l'appareil réduit le gaspillage énergétique et prolonge la durée de vie de la batterie dans les gadgets portables.
• Abaissement de la résistance à l'état: minimisation des aides à la résistance à l'état pour réduire la perte de puissance pendant la conduction.La faible résistance à l'état du PMV65XP assure une dissipation minimale de puissance comme chaleur, renforçant ainsi l'efficacité et prolongeant la durée de vie de l'appareil en empêchant la surchauffe.Les résultats de diverses applications mettent en évidence une connexion directe entre une résistance à l'état réduite et une amélioration des performances du périphérique et de la durabilité.
• Technologie sophistiquée MOSFET TRENCH: L'incorporation de la technologie avancée MOSFET de tranchée, le PMV65XP améliore considérablement sa fiabilité et son efficacité.Cette technologie permet une densité de puissance plus élevée et une gestion supérieure du flux actuel, s'alignant sur les exigences rigoureuses de l'électronique de pointe.
• Augmentation de la fiabilité: la fiabilité du PMV65XP est un avantage distinct pour viser à développer des systèmes électroniques robustes.Dans la conception du circuit, l'assurance de performances stables dans des conditions variables est fréquemment mise en évidence.En offrant cette fiabilité, le PMV65XP devient un élément préféré pour les applications avancées, comme les télécommunications et les industries automobiles.
Une application prédominante du PMV65XP est trouvée dans les convertisseurs DC-DC à basse puissance.Ces convertisseurs jouent un rôle dans l'ajustement des niveaux de tension pour répondre aux exigences de composants électroniques spécifiques en optimisant la consommation d'énergie.Le PMV65XP excelle dans la minimisation des pertes d'énergie dans ce cadre, la considération pour les fabricants s'efforçant d'améliorer la durabilité et la fiabilité de leurs produits.Cette insistance sur l'efficacité reflète les tendances de l'industrie à développer des innovations plus respectueuses de l'environnement et de l'énergie.
Dans la commutation de charge, le PMV65XP facilite la commutation rapide et fiable des charges, garantissant une fonctionnalité de dispositif fluide et l'adhésion aux critères de performance.Ceci est particulièrement nécessaire dans les paramètres dynamiques où les modes de fonctionnement de l'appareil se déplacent fréquemment.La gestion des charges compétentes peut prolonger la durée de vie des dispositifs et la vider l'usure.
Dans les systèmes de gestion de la batterie, le PMV65XP fournit un support substantiel en orchestrant la distribution de puissance.Assurer une utilisation efficace de la batterie sous-tend l'utilisation étendue des appareils, une demande croissante de l'électronique.En aidant le règlement et la surveillance des cycles de charge, le PMV65XP joue un rôle dans la sauvegarde de la santé des batteries, influençant directement la satisfaction et la compétitivité d'un appareil sur le marché.
Le déploiement de PMV65XP est nettement bénéfique dans les dispositifs portables alimentés par batterie où la préservation de l'énergie est requise.Alors que ces appareils visent un fonctionnement plus long sur les réserves d'énergie finies, la gestion de l'alimentation compétente du PMV65XP garantit une durée de vie de la batterie prolongée.
Spécifications techniques, caractéristiques et paramètres du PMV65XP, ainsi que des composants qui partagent des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. PMV65XPVL.
Taper |
Paramètre |
Délai d'usine |
4 semaines |
Package / étui |
À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Matériau d'élément transistor |
SILICIUM |
Tension d'entraînement (max RDS sur, min RDS) |
1,8 V 4,5 V |
Dissipation de puissance (max) |
480mw ta |
Conditionnement |
Ruban adhésif (TR) |
Statut de partie |
Actif |
Position terminale |
DOUBLE |
Comptage des broches |
3 |
Code JESD-30 |
R-PDSO-G3 |
Mode de fonctionnement |
Mode d'amélioration |
Application de transistor |
Commutation |
Vgs (th) (max) @ id |
900 mV à 250μA |
Type de montage |
Support de surface |
Support de surface |
OUI |
Courant - drain continu (id) @ 25 ° C |
2.8a TA |
Nombre d'éléments |
1 |
Température de fonctionnement |
-55 ° C ~ 150 ° C TJ |
Publié |
2013 |
Nombre de terminaisons |
3 |
Forme terminale |
Aile |
Norme de référence |
IEC-60134 |
Configuration |
Single avec diode intégrée |
Type FET |
Canal p |
Rds sur (max) @ id, vgs |
74m Ω @ 2,8A, 4,5 V |
Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS |
744pf @ 20v |
Charge de porte (qg) (max) @ vgs |
7.7nc @ 4v |
VGS (max) |
± 12V |
Égoutter le courant-max (ABS) (ID) |
2.8a |
DS Breakdown Tension-Min |
20V |
Égoutter la tension de la source (VDSS) |
20V |
Code JEDEC-95 |
À 236ab |
Drainage-source sur la résistance-max |
0,0740 ohm |
Statut ROHS |
ROHS3 conforme |
Depuis sa création en 2017, Nexperia s'est toujours positionnée comme un leader dans les secteurs des semi-conducteurs discrets, logiques et MOSFET.Leurs prouesses se traduisent par la création de composants comme le PMV65XP, conçu pour répondre aux critères automobiles rigoureux.L'adhésion à ces critères garantit la fiabilité et l'efficacité que les systèmes automobiles avancés recherchent avidement aujourd'hui, faisant écho à l'essence même de ce qui motive ce domaine technologique.L'élaboration de PMV65XP par Nexperia met en évidence un dévouement à répondre aux exigences automobiles exigeantes.Ces exigences nécessitent plus qu'une simple conformité;Ils nécessitent une finesse pour s'adapter à des arènes technologiques changeantes.Grâce à la recherche et au développement innovants, Nexperia garantit que les composants offrent une gestion supérieure de l'énergie et maintiennent l'équilibre thermique même dans des circonstances exigeantes.Cette méthode reflète un mouvement plus important vers la valorisation de l'énergie énergétique et des conceptions prête pour les futurs.L'évolution et la création de PMV65XP par Nexperia représentent une intégration transparente du dévouement au maintien de normes élevées, de l'engagement envers la puissance optimale et la surveillance thermique, et une vision avant-gardiste conformément aux futures progrès automobiles.Cette stratégie complète les positionne comme une référence pour les autres dans le paysage semi-conducteur.
Tous les CHGS de l'étiquette de développement 2 / août / 2020.pdf
Pack / Label Update 30 / Nov / 2016.pdf
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Au sein des MOSFET du canal P, les trous agissent comme les principaux porteurs facilitant le courant dans le canal, définissant le stade pour que le courant s'écoule lorsqu'il est activé.Ce processus joue un rôle dans les scénarios où un contrôle précis de la puissance est souhaité, reflétant l'interaction complexe de l'ingéniosité et de la nécessité technique.
Pour que les MOSFET du canal P fonctionnent, une tension de source de porte négative est requise.Cette condition unique permet au courant de naviguer dans le dispositif dans une direction contraire au flux conventionnel, caractéristique enracinée dans la conception structurelle du canal.Ce comportement trouve souvent son utilisation dans les circuits exigeant des niveaux élevés d'efficacité et un contrôle méticuleux, incarnant la poursuite de l'optimisation et de la maîtrise de la technologie.
La désignation «transistor à effet de champ» est dérivée de son principe de fonctionnement, qui consiste à utiliser un champ électrique pour influencer les transporteurs de charge dans un canal semi-conducteur.Ce principe présente la flexibilité des FET dans de nombreux contextes d'amplification et de commutation électroniques, mettant en évidence leur rôle dynamique dans les applications technologiques modernes.
Les transistors à effet de champ comprennent les MOSFET, les JFET et les mesfet.Chaque variante offre des caractéristiques et des avantages distincts adaptés à des fonctions particulières.Cet assortiment illustre la profondeur de la créativité de l'ingénierie dans l'élaboration de la technologie des semi-conducteurs pour répondre à un large éventail de demandes électroniques, capturant l'essence de l'adaptabilité et de l'ingéniosité.
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