IRLML2502 est conçu en mettant l'accent sur l'efficacité et la fiabilité.Il offre une résistance ultra-faible, ce qui le rend parfait pour les situations où la réduction de la perte de puissance est une priorité.Ce MOSFET à canal N est couramment utilisé dans les applications qui nécessitent une commutation rapide et des performances stables dans diverses conditions.La technologie avancée derrière ce composant garantit qu'elle fonctionne bien, même dans les conceptions compactes, grâce à sa petite empreinte.La construction robuste du MOSFET lui permet de gérer les environnements exigeants, offrant des performances cohérentes sur une gamme d'applications.
Son ensemble compact Micro3 ™ est particulièrement utile pour les situations où l'espace est serré.Si vous travaillez sur un projet où l'espace est limité, comme dans les cartes électroniques portables ou PCMCIA - ce MOSFET pourrait être un ajustement idéal.Le profil bas du package facilite l'intégration dans des appareils minces tout en maintenant une bonne gestion thermique, ce qui aide à garder l'appareil frais et opérationnel au fil du temps.
Ce MOSFET est conçu avec une résistance à ultra-low, ce qui aide à réduire la perte de puissance pendant le fonctionnement.Vous trouverez cela utile lorsque vous travaillez sur des projets qui nécessitent une gestion efficace de la puissance.
L'IRLML2502 est un MOSFET à N-canal, ce qui signifie qu'il contrôle le courant en appliquant une tension positive à la porte.Ce type de MOSFET est largement utilisé pour la commutation et l'amplification dans divers circuits.
Sa petite empreinte SOT-23 facilite l'intégration dans les conceptions compactes.Ceci est particulièrement utile si vous travaillez avec des applications limitées dans l'espace ou si vous avez besoin d'un composant léger.
Avec un profil bas de moins de 1,1 mm, ce MOSFET s'intègre bien dans des appareils minces.Cette fonctionnalité est idéale pour l'électronique portable et les applications où chaque bit d'espace compte.
L'IRLML2502 est disponible en emballage de bande et de moulinet, ce qui le rend pratique pour les lignes de production automatisées.Cela garantit la facilité de manipulation et le placement pendant la fabrication.
La capacité de commutation rapide du MOSFET permet des transitions rapides entre les états ON et OFF.Vous trouverez cette fonction précieuse lorsque vous travaillez sur des circuits qui nécessitent un fonctionnement à grande vitesse.
Il utilise une structure de cellules planes qui améliore sa zone de fonctionnement sûre (SOA).Cela garantit un fonctionnement fiable dans des conditions variables, vous aidant à éviter les dommages potentiels des courants ou des tensions excessifs.
Ce MOSFET est largement disponible via des partenaires de distribution, ce qui signifie que vous n'aurez pas de mal à le saisir pour vos projets.C’est un choix fiable avec une large disponibilité.
L'IRLML2502 a été qualifié selon les normes de la JEDEC, vous pouvez donc faire confiance à sa fiabilité et à ses performances pour une utilisation à long terme dans diverses applications.
Sa conception de silicium est optimisée pour les applications qui nécessitent une commutation inférieure à 100 kHz.Cela en fait une excellente option pour les circuits de commutation à faible fréquence.
L'IRLML2502 est disponible dans un package de montage de surface standard, qui facilite le travail dans la plupart des conceptions, assurant la compatibilité avec les systèmes et les composants existants.
Spécifications techniques, attributs, paramètres et parties comparables pour IRRML2502TR d'Infineon Technologies.
Taper | Paramètre |
Type de montage | Support de surface |
Package / étui | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Support de surface | Oui |
Matériau d'élément transistor | Silicium |
Courant - drain continu (id) @ 25 ℃ | 4.2a TA |
Nombre d'éléments | 1 |
Température de fonctionnement (max.) | 150 ° C |
Conditionnement | Ruban de coupe (CT) |
Série | Hexfet® |
Publié | 2003 |
Code JESD-609 | E3 |
Statut de partie | Interrompu |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
Nombre de terminaisons | 3 |
Code ECCN | EAR99 |
Finition terminale | Étain mat (sn) |
Fonctionnalité supplémentaire | Haute fiabilité |
Position terminale | DOUBLE |
Forme terminale | Aile |
Température de reflux maximale (° C) | 260 |
Temps @ Peak Reflow Temp (s) | 30 |
Code JESD-30 | R-PDSO-G3 |
Statut de qualification | Pas qualifié |
Configuration | Single avec diode intégrée |
Mode de fonctionnement | Mode d'amélioration |
Type FET | Channel n |
Application de transistor | Commutation |
Rds sur (max) @ id, vgs | 45mΩ @ 4.2a, 4,5 V |
Vgs (th) (max) @ id | 1,2 V @ 250μA |
Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS | 740pf @ 15v |
Charge de porte (qg) (max) @ vgs | 12nc @ 5v |
Égoutter la tension de la source (VDSS) | 20V |
Code JEDEC-95 | À 236ab |
Égoutter le courant-max (ABS) (ID) | 4.2a |
Drainage-source sur la résistance-max | 0,045Ω |
Courant de drain pulsé-max (IDM) | 33a |
DS Breakdown Tension-Min | 20V |
Dissipation de puissance-max (ABS) | 1.25W |
Statut ROHS | Conforme aux non-Rohs |
Numéro de pièce | Description | Fabricant |
Irlml2502tr Transistors | Transistor à effet de champ de puissance, 4.2A I (d), 20V, 0,045 ohm, 1 élément, n canal, silicium, FET semi-conducteur en oxyde de métal, micro-3 | Redresseur international |
Irlml2502pbf Transistors | Transistor à effet de champ de puissance, 4.2a I (d), 20V, 0,045 ohm, 1 élément, canal n, silicium, FET semi-conducteur d'oxyde de métal, à 236ab, halogène et sans plomb, micro-3 | Redresseur international |
IRLML2502 Transistors | Transistor à effet de champ de puissance, 4.2A I (d), 20V, 0,045 ohm, 1 élément, n canal, silicium, FET semi-conducteur en oxyde de métal, micro-3 | Redresseur international |
Irlml2502gtrpbf Transistors | Transistor à effet de champ de puissance, 4.2a I (d), 20V, 0,045 ohm, 1 élément, n canal, silicium, FET semi-conducteur-oxyde de métal, à 236ab, sans plomb, micro-3 | Infineon Technologies AG |
Si vous travaillez avec DC Motors, l'IRRML2502 peut être un ajout utile.Sa faible résistance sur la résistance et la vitesse de commutation rapide le rend idéal pour contrôler la vitesse et l'efficacité du moteur.Vous constaterez qu'il peut gérer les exigences des applications motrices, en gardant les performances lisses et cohérentes.
L'IRLML2502 est également un bon choix en ce qui concerne les onduleurs.En raison de ses capacités de commutation rapide, il aide à convertir efficacement DC en AC.Vous remarquerez que ce MOSFET fonctionne bien dans les configurations où vous avez besoin de performances fiables au fil du temps.
Pour les alimentations en mode commutateur (SMPS), ce MOSFET offre la faible perte de puissance et une grande efficacité dont vous pourriez avoir besoin.Son package bas et compact facilitent l'intégration dans les conceptions SMPS, en particulier lorsque vous avez affaire à des espaces étroits.
Dans les applications d'éclairage, l'IRRML2502 peut aider à contrôler la puissance en allant à des LED ou à d'autres sources lumineuses.Vous trouverez son efficacité et sa capacité à gérer des courants plus élevés utiles lorsque vous travaillez avec des systèmes d'éclairage petits et grands.
Les capacités à faible résistance et de courant élevé du MOSFET en font un choix fort pour les commutateurs de charge.Que vous contrôliez la puissance à différentes parties d'un appareil ou que vous vous déplacez entre les charges, ce composant garantit un fonctionnement en douceur.
Si vous concevez des appareils alimentés par batterie, l'IRRML2502 offre l'efficacité dont vous avez besoin pour prolonger la durée de vie de la batterie.Sa faible perte de puissance signifie que votre appareil peut fonctionner plus longtemps sur une seule charge, ce qui le rend idéal pour l'électronique portable ou d'autres systèmes à batterie.
Infineon Technologies, anciennement connue sous le nom de Siemens Semiconductor, apporte une richesse d'expérience à la table.En mettant l'accent sur l'innovation et l'adaptabilité, Infineon est devenu un principal fournisseur de composants microélectroniques.Leur large gamme de produits est conçu pour répondre aux besoins de diverses industries, de l'électronique grand public aux applications industrielles.Ce MOSFET bénéficie de l’engagement d’Infineon envers la fabrication de haute qualité et le développement de produits.La société continue d'évoluer dans l'industrie de la microélectronique en constante évolution, offrant des composants qui répondent aux demandes de la technologie moderne.Leur vaste portefeuille de produits comprend non seulement des circuits intégrés mais aussi des dispositifs semi-conducteurs discrets, en vous assurant de trouver des solutions adaptées aux exigences spécifiques de votre projet
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