Le 2N1711 Le transistor, enfermé dans un ensemble de métal TO-39, joue des rôles divers, tels que la commutation, l'amplification et l'oscillation.Il gère jusqu'à 500 mm de courant de collecteur dans la commutation et résiste aux courants de collecteur de pointe jusqu'à 1A, gérant habilement de brèves surtensions de courant élevé.Cette capacité fait du 2N1711 un choix fiable pour les circuits qui exigent des réponses rapides et dynamiques.
Dans ses applications pratiques, la nature flexible du 2N1711 brille.Il excelle en changeant rapidement les courants, ce qui le rend adapté à une gamme d'utilisations, de l'amplification du signal simple aux tâches d'oscillation complexes.Sa conception robuste garantit un fonctionnement fiable dans divers paramètres électroniques, reflétant les leçons tirées de l'utilisation réelle où la précision et la stabilité sont importantes.
Le déploiement du 2N1711 souligne son rôle requis.Dans les circuits d'amplification audio, par exemple, il peut considérablement améliorer la clarté et la fidélité saines.Ces améliorations montrent que même avec les avancées technologiques, des composants traditionnels comme le 2N1711 restent déterminants dans la réalisation de performances exceptionnelles.
Taper |
Paramètre |
Monter |
Par le trou |
Type de montage |
Par le trou |
Package / étui |
To-205ad, to-39-3 métal can |
Nombre d'épingles |
3 |
Poids |
4.535924G |
Matériau d'élément transistor |
Silicium |
Tension de panne collectionneur-émetteur |
50v |
Nombre d'éléments |
1 |
Hfe (min) |
40 |
Température de fonctionnement |
175 ° C TJ |
Conditionnement |
Tube |
Code JESD-609 |
E3 |
Code pbfree |
Oui |
Statut de partie |
Obsolète |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (illimité) |
Nombre de terminaisons |
3 |
Finition terminale |
Étain mat (sn) |
Tension - DC classée |
75V |
Dissipation de puissance maximale |
800mw |
Position terminale |
Bas |
Forme terminale |
Fil |
Note actuelle |
500mA |
Fréquence |
100 MHz |
Numéro de pièce de base |
2N17 |
Comptage des broches |
3 |
Configuration des éléments |
Célibataire |
Dissipation de puissance |
800mw |
Application de transistor |
Commutation |
Gagnez le produit de bande passante |
100 MHz |
Type de polarité / canal |
NPN |
Type de transistor |
NPN |
Tension de l'émetteur collecteur (VCEO) |
50v |
Courant de collecteur maximum |
500mA |
Gain de courant CC (hfe) @ ic, vce |
35 @ 100mA, 10V |
Courant - coupure de collecteur (max) |
10NA ICBO |
VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC |
1,5 V @ 15mA, 150mA |
Fréquence de transition |
100 MHz |
Tension de base du collecteur (VCBO) |
75V |
Tension de base d'émetteur (VEBO) |
7v |
Hauteur |
6,6 mm |
Longueur |
9.4 mm |
Largeur |
9.4 mm |
Durcissement des rayonnements |
Non |
Statut ROHS |
ROHS3 conforme |
Avance libre |
Avance libre |
Fonctionnalité |
Description |
Type de package |
To-39 |
Type de transistor |
NPN |
Courant du collecteur maximum (IC) |
500 mA |
Tension de collecteur maximum (VCE) |
50 V |
Tension de collection maximale (VCB) |
75 V |
Tension de base d'émetteur maximale (VBE) |
7 V |
Dissipation du collecteur maximum (PC) |
800 MW |
Fréquence de transition maximale (FT) |
100 MHz |
Gain de courant CC minimum et maximum (HFE) |
100 à 300 |
Plage de températures de stockage, de fonctionnement et de jonction maximum |
-65 ° C à 200 ° C |
Connu pour sa résilience dans la gestion des tensions élevées, le 2N1711 est un gardien contre la panne.Dans les conceptions d'alimentation, assurer la fiabilité sous le stress devient plus apparente.En sélectionnant des composants avec une telle endurance de tension, l'électronique dure et prospère dans des conditions difficiles, offrant une tranquillité d'esprit à ceux qui comptent sur eux.
Présentant un courant de fuite minimal, le 2N1711 optimise l'efficacité du circuit en minimisant l'utilisation de puissance injustifiée pendant l'inactivité.Surtout dans les appareils alimentés par batterie, ce trait devient une aubaine, prolongeant les intervalles entre les charges et nourrissant la durée de vie de l'appareil.Vous pouvez souvent choisir des transistors avec cette fonctionnalité pour fabriquer des conceptions plus durables.
En raison de sa faible capacité, ce transistor minimise les perturbations des signaux à haute fréquence, devenant un pilier de fiabilité dans les applications RF.Lorsque la clarté et la précision sont recherchées, ces performances garantissent que les dispositifs de communication maintiennent l'intégrité du signal, suscitant la confiance dans leurs utilisateurs.
Une large gamme de courant, couplée à la version bêta stable, offre une adaptabilité dans les scénarios d'amplification, accommant avec les charges variables sans fluctuations substantielles de gain.Cet attribut rationalise les processus de conception, offrant des performances cohérentes dans différents paysages opérationnels.Les transistors avec ces traits sont favorisés pour leur fiabilité dans la fourniture de réponses prévisibles sur les circuits.
Le transistor 2N1711 trouve souvent une place dans diverses applications de commutation.Sa construction solide le rend adapté à la gestion des tâches de puissance moyennes sans effort, même dans des scénarios difficiles.Vous pouvez le favoriser pour les circuits nécessitant des transitions rapidement sur les transitions, en tirant parti de sa compétence de commutation fiable pour augmenter la réactivité du système.L'expérience indique que ses performances régulières dans diverses conditions en font un choix digne de confiance pour les systèmes dynamiques.
Dans les configurations audio, le 2N1711 fonctionne comme un amplificateur compétent.Vous pouvez apprécier sa capacité à améliorer la clarté du son en amplifiant les signaux avec une distorsion minimale.Son rôle dans les circuits analogiques souligne son importance dans le maintien de l'intégrité du signal, qui est actif pour l'audio à haute fidélité.Vous pouvez souvent vous tourner vers lui pour des projets audio DIY, valorisant sa précision et sa fiabilité.
Le domaine de la préamplification est un autre domaine où le 2N1711 brille.Il prépare les signaux pour de nouvelles étapes d'amplification, garantissant que les résultats sont à la fois clairs et fidèles.Son profil à faible bruit le rend approprié pour les applications audio et radiofréquences sensibles, où la qualité précoce du signal joue un rôle majeur dans le résultat.L'utilisation du 2N1711 en préamplification peut améliorer considérablement les performances.
La portée du 2N1711 s'étend aux tâches de radiofréquence, où elle gère efficacement les signaux RF.Sa capacité à fonctionner à des fréquences élevées la rend évaluée dans les circuits RF.Vous pouvez dépendre de sa stabilité et de sa précision pour maintenir une qualité de communication cohérente, où le maintien de la force du signal contre les interférences est actif.L'utilisation réelle de ce composant met souvent en évidence son rôle majeur dans les progrès technologiques RF.
Au-delà des applications spécifiques, le 2N1711 est utilisé pour une amplification générale du signal.Il aide à des projets allant de la petite électronique aux conceptions de circuits complexes, offrant des fonctions d'amplification utiles.Sa flexibilité lui permet de répondre facilement aux demandes de circuits variables, fournissant constamment des résultats exceptionnels dans de nombreuses applications.Cette polyvalence incarne la stratégie plus large d'utiliser des composants adaptables pour simplifier la conception et l'exécution dans diverses entreprises technologiques.
Le transistor 2N1711 présente une adaptabilité remarquable, s'adaptant parfaitement à une base commune, à l'émetteur commun et aux configurations de collection communes.Chaque configuration offre ses avantages.La configuration commune de l'émetteur, en particulier, est chéri pour son impressionnante tension et son gain de puissance.Il augmente souvent la résistance du signal d'entrée d'environ 20 dB, traduisant par une augmentation de cent fois.Ici, la tension du collecteur dépasse la tension de base, tandis que le courant d'émetteur implique à la fois les courants de base et de collecteur, démontrant le flux de courant cumulé.
Les variations de dopage jouent un rôle clé dans les opérations de transistor.L'émetteur subit un dopage lourd, réduisant ainsi la résistance et améliorant l'injection d'électrons.Inversement, le collecteur reçoit un dopage léger pour faciliter une collecte efficace et minimiser la perte de puissance.Ces différences façonnent les traits d'amplification et garantissent la fiabilité à travers diverses applications.
Comprendre le facteur d'amplification actuel, indiqué par la bêta (β), aide à fabriquer des circuits efficaces.Il définit le rapport du courant de collecteur à base de courant, vous aidant à prévoir le comportement du transistor dans des conditions variables.Les applications pratiques mettent en évidence comment un contrôle minutieux de la β peut influencer considérablement les performances du circuit, influençant ainsi les décisions où la stabilité et l'efficacité sont utilisées.
La stmicroélectronique apparaît comme une force substantielle dans le secteur des semi-conducteurs, célébrée pour ses innovations révolutionnaires.À la pointe de la microélectronique, l'expertise de l'entreprise traverse ses capacités de pointe, en particulier dans les technologies de système sur puce (SOC).Leurs solutions couvrent un large éventail de champs, s'intégrant profondément dans les secteurs de l'automobile, de l'industrie, de l'électronique personnelle et de la communication, présentant leur influence de grande envergure.
Les prouesses de la stmicroélectronique dans la technologie SOC sont un élément initial de leur succès, facilitant la fusion des fonctionnalités complexes en composants unifiés.En perfectionnant ces solutions, elles ont profondément eu un impact sur l'efficacité et les performances des appareils électroniques.Cette stratégie maximise l'efficacité de l'espace et de l'énergie tout en élevant les expériences des utilisateurs sur diverses plates-formes, reflétant leur dévouement à l'avancement et à l'excellence.
Le 2N1711 est un transistor NPN à base de silicium.Il trouve sa place dans des paramètres hautes performances tels que les amplificateurs, les oscillateurs et les commutateurs.Sa conception brille principalement dans une amplification à faible bruit, ce qui en fait un choix préféré pour les utilisations de la fréquence audio et radio.Dans les applications réelles, il est chéri pour améliorer la clarté du signal dans les dispositifs de communication et l'électronique sensible.L'étude des implémentations réussies souligne comment la sélection des composants influence les performances globales du système.
Le 2N1711 fonctionne comme un transistor de jonction bipolaire (BJT), en utilisant à la fois des trous et des électrons pour la conduction.En appliquant une tension positive à la base, le transistor module des courants plus grands entre l'émetteur et le collecteur, fonctionnant comme un amplificateur de courant.Ce processus permet un contrôle précis dans les circuits électroniques, présentant son rôle dans la régulation et la modulation du signal.Les informations de l'industrie montrent que la manipulation habile du courant de base peut améliorer considérablement les performances du transistor, illustrant les subtilités de l'ingénierie stratégique de l'électronique.
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