Le Bss138lt1g est un MOSFET de puissance en n canal conçu pour la gestion de l'alimentation dans des appareils qui reposent sur des faibles tensions.Il est souvent utilisé dans des applications telles que les convertisseurs CC-TO-DC trouvés dans les ordinateurs, les imprimantes et les appareils mobiles tels que les téléphones portables et les téléphones sans fil.Ce qui distingue ce MOSFET, c'est sa capacité à fonctionner efficacement à des niveaux de tension inférieure, ce qui en fait un excellent ajustement pour les appareils portables et alimentés par batterie.Le package compact SOT-23 en surface lui permet de s'adapter facilement aux circuits imprimés, ce qui est utile dans les conceptions limitées dans l'espace.Cela le rend bien adapté à l'électronique moderne où l'efficacité électrique et la taille comptent.
Le BSS138LT1G fonctionne avec une tension de seuil faible, allant de 0,5 V à 1,5 V.Cela signifie qu'il peut s'allumer et fonctionner efficacement dans des conditions de faible puissance, ce qui en fait un bon ajustement pour les appareils qui ne nécessitent pas beaucoup d'énergie pour fonctionner.
Son petit ensemble de montage en surface SOT-23 aide à économiser de l'espace sur la carte de circuit imprimé.Cette taille compacte est utile lors de la conception d'appareils électroniques modernes où l'espace est souvent limité, garantissant que tout s'adapte parfaitement sans prendre trop de place.
Le BSS138LT1G est qualifié AEC-Q101, ce qui signifie qu'il est conçu pour une utilisation fiable dans l'automobile et d'autres applications exigeantes.Il peut gérer des environnements difficiles où une durabilité à long terme est nécessaire pour un fonctionnement fluide.
Le BSS138LT1G répond aux normes ROHS, qui restreint l'utilisation de certaines matières dangereuses.Il est également sans PB et sans halogène, ce qui en fait un choix respectueux de l'environnement, s'alignant sur les efforts de fabrication de l'éco-conscient.
Spécifications techniques, attributs, paramètres et parties comparables liées au semi-conducteur ON BSS138LT1G.
Taper | Paramètre |
Statut de cycle de vie | |
Délai d'usine | 14 semaines |
Placage de contact | Étain |
Type de montage | Support de surface |
Package / étui | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Support de surface | OUI |
Nombre d'épingles | 3 |
Matériau d'élément transistor | SILICIUM |
Courant - drain continu (id) @ 25 ℃ | 200mA TA |
Tension d'entraînement (max RDS sur, min RDS) | 5V |
Nombre d'éléments | 1 |
Dissipation de puissance (max) | 225MW TA |
Désactiver le temps de retard | 20 ns |
Température de fonctionnement | -55 ° C ~ 150 ° C TJ |
Conditionnement | Ruban de coupe (CT) |
Publié | 2005 |
Code JESD-609 | E3 |
Code pbfree | Oui |
Statut de partie | Actif |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
Nombre de terminaisons | 3 |
Code ECCN | EAR99 |
Résistance | 3,5 ohm |
Tension - DC classée | 50v |
Position terminale | DOUBLE |
Forme terminale | Aile |
Température de reflux maximale (CEL) | 260 ° C |
Note actuelle | 200m |
Time @ Peak Reflow Températé (max) | 40 |
Comptage des broches | 3 |
Configuration des éléments | Célibataire |
Mode de fonctionnement | Mode d'amélioration |
Dissipation de puissance | 225mw |
Activer le temps de retard | 20 ns |
Type FET | Channel n |
Application de transistor | Commutation |
Rds sur (max) @ id, vgs | 3,5 Ω à 200mA, 5v |
Vgs (th) (max) @ id | 1,5 V @ 1MA |
Sans halogène | Sans halogène |
Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS | 50pf @ 25v |
VGS (max) | ± 20V |
Courant de vidange continu (ID) | 200m |
Tension de seuil | 1,5 V |
Tension de porte à source (VGS) | 20V |
Égoutter le courant-max (ABS) (ID) | 0,2a |
Égoutter la tension de panne de source | 50v |
VG nominal | 1,5 V |
Feedback Cap-max (CRSS) | 5pf |
Hauteur | 1,01 mm |
Longueur | 3,04 mm |
Largeur | 1,4 mm |
Atteindre SVHC | Pas de SVHC |
Durcissement des rayonnements | Non |
Statut ROHS | ROHS3 conforme |
Numéro de pièce | Description | Fabricant |
BSS138L9Z | 220mA, 50V, N-canal, Si, petit signal, MOSFET, à 236AB | Texas Instruments |
BSS138-7-F | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,2A (ID), 50V, 1-Element, N-canal, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, Fet en plastique-3 | SPC Multicomp |
UBSS138TA | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,2A (ID), 50V, 1-Element, N-canal, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, SOT-23, 3 broches | Zetex / Diodes Inc |
BSS138T / R13 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,3A (ID), 50V, 1-Element, N-canal, Silicon, Metal-Oxyde Semiconductor FET, ROHS Composant Package-3 | Semi-conducteur panjit |
BSS138NL6327 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,23A (ID), 60V, 1-Element, N-canal, Silicon, Metal-Oxyde Semiconductor Fet, ROHS Conforal, Plastic Package-3 | Infineon Technologies AG |
BSS138E6327 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,23A (ID), 50V, 1-Element, N-canal, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, SOT-23, 3 broches | Infineon Technologies AG |
Bss138-tp | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,22A (ID), 50V, 1-Element, N-canal, silicium, FET semi-conducteur en oxyde de métal | Micro-composants commerciaux |
BSS138NH6433 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,23A (ID), 50V, 1-Element, N-canal, silicium, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, vert, emballage en plastique-3 | Infineon Technologies AG |
BSS138NH6433 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,23A (ID), 50V, 1-Element, N-canal, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, SOT-23, 3 broches | Infineon Technologies AG |
UBSS138 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0,2A (ID), 50V, 1-Element, N-canal, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, SOT-23, 3 broches | Diodes incorporées |
Ce MOSFET est souvent utilisé dans les convertisseurs DC-DC, qui aident à gérer les changements de tension dans les appareils comme les ordinateurs et l'électronique mobile.Il garantit que les droits de tension sont fournis à divers composants, aidant l'appareil à fonctionner efficacement.
Le BSS138LT1G est utilisé dans les imprimantes pour gérer la distribution d'énergie, garantissant aux composants la quantité correcte de puissance tout en empêchant les déchets d'énergie et la surchauffe.Cela aide à maintenir le bon fonctionnement des imprimantes au fil du temps.
Dans les cartes PCMCIA, le BSS138LT1G aide à contrôler la consommation d'énergie.Ces cartes sont utilisées pour ajouter des fonctions aux ordinateurs portables et à d'autres appareils, et ce MOSFET prend en charge leur fonctionnement efficace, les aidant à travailler efficacement sans utiliser trop d'énergie.
Le BSS138LT1G se trouve souvent dans les appareils alimentés par des batteries, telles que les ordinateurs, les téléphones portables et les téléphones sans fil.Il aide à gérer la consommation d'énergie, en s'assurant que l'appareil fonctionne efficacement et prolonge la durée de vie de la batterie, permettant une utilisation plus longue entre les charges.
FAIBLE | Millimètres (min) | Millimètres (nom) | Millimètres (max) | Pouces (min) | Pouces (nom) | Pouces (max) |
UN | 0,89 | 1 | 1.11 | 0,035 | 0,039 | 0,044 |
A1 | 0,01 | 0,06 | 0.1 | 0 | 0,002 | 0,004 |
b | 0,37 | 0,44 | 0,5 | 0,015 | 0,017 | 0,02 |
c | 0,08 | 0,14 | 0,2 | 0,003 | 0,006 | 0,008 |
D | 2.8 | 2.9 | 3.04 | 0.11 | 0,114 | 0,12 |
E | 1.2 | 1.3 | 1.4 | 0,047 | 0,051 | 0,055 |
E1 | 2.9 | 3 | 3.1 | 0,114 | 0,118 | 0,122 |
L | 1.78 | 1.9 | 2.04 | 0,07 | 0,075 | 0,08 |
L1 | 0,35 | 0,54 | 0,69 | 0,014 | 0,021 | 0,027 |
IL | 2.1 | 2.4 | 2.64 | 0,083 | 0,094 | 0.104 |
T | 0 ° | ---- | 10 ° | 0 ° | ---- | 10 ° |
Sur le semi-conducteur est connu pour développer des produits qui aident les entreprises à réduire la consommation d'énergie dans une gamme d'industries.Ils fournissent des solutions de gestion de l'alimentation et du signal qui peuvent être trouvées dans des domaines tels que l'automobile, les communications, l'électronique grand public et l'éclairage LED.On Semiconductor soutient les ingénieurs et les concepteurs en offrant une grande variété de produits qui aident à résoudre des défis de conception spécifiques dans ces domaines.Avec une présence sur les principaux marchés du monde entier, ils maintiennent une forte chaîne d'approvisionnement et fournissent un service client fiable.Leurs installations de fabrication et leurs centres de conception sont stratégiquement situés pour s'assurer qu'ils peuvent répondre aux besoins des clients dans le monde, tout en continuant à générer des innovations dans les technologies d'économie d'énergie.
Le BSS138LT1G est un MOSFET de puissance à n canal couramment utilisé dans les convertisseurs DC-DC et les systèmes de gestion de l'alimentation dans des appareils tels que les ordinateurs, les imprimantes, les cartes PCMCIA, ainsi que les téléphones cellulaires et sans fil.
Le BSS138LT1G a une plage de tension de seuil de 0,5 V à 1,5 V, ce qui le rend bien adapté aux applications de faible puissance.
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