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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTP0610K-T1-E3
TP0610K-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TP0610K-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
TP0610K-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-TP0610K-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TP0610K.pdf
État RoHS
En stock: 241370

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TP0610K-T1-E3
Vishay Siliconix - TP0610K-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - TP0610K-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 15 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 185mA (Ta)  
Numéro de produit de base TP0610  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix TP0610K-T1-E3

Attributs du produit TP0610K-T1-E3 TP0610K-T1-GE3 TP0606N3-G TP0610T-G
Modèle de produit TP0610K-T1-E3 TP0610K-T1-GE3 TP0606N3-G TP0610T-G
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Microchip Technology Microchip Technology
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.4V @ 1mA 2.4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V 3.5Ohm @ 750mA, 10V 10Ohm @ 200mA, 10V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Séries TrenchFET® TrenchFET® - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base TP0610 TP0610 TP0606 TP0610
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23 pF @ 25 V 23 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 1W (Tc) 360mW (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) TO-92-3 TO-236AB (SOT23)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 185mA (Ta) 185mA (Ta) 320mA (Tj) 120mA (Tj)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 15 V 1.7 nC @ 15 V - -

Fiche technique TP0610K-T1-E3 PDF

Téléchargez TP0610K-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour TP0610K-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Factory Status 30/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
TP0610K.pdf
PCN Autre
2N7002/TP0610K 25/Mar/2019.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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TP0610K-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-TP0610K-T1-E3

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