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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUP90N08-7M7P-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUP90N08-7M7P-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUP90N08-7M7P-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUP90N08-7M7P-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
SUP90N08-7M7P.pdf
État RoHS
En stock: 4180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUP90N08-7M7P-E3
Vishay Siliconix - SUP90N08-7M7P-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUP90N08-7M7P-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4250 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)  
Numéro de produit de base SUP90  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUP90N08-7M7P-E3

Attributs du produit SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N15-18P-E3 SUP90N08-6M8P-E3 SUP90N06-6M0P-E3
Modèle de produit SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N15-18P-E3 SUP90N08-6M8P-E3 SUP90N06-6M0P-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base SUP90 SUP90 SUP90 SUP90
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4250 pF @ 30 V 4180 pF @ 75 V 4620 pF @ 30 V 4700 pF @ 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tension drain-source (Vdss) 75 V 150 V 75 V 60 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 20A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V 6.8mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA

Fiche technique SUP90N08-7M7P-E3 PDF

Téléchargez SUP90N08-7M7P-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SUP90N08-7M7P-E3 - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
PCN Obsolescence / EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Feuilles de données
SUP90N08-7M7P.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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