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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUP90140E-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUP90140E-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUP90140E-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUP90140E-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
SUP90140E.pdf
État RoHS
En stock: 29588

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUP90140E-GE3
Vishay Siliconix - SUP90140E-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUP90140E-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries ThunderFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4132 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)  
Numéro de produit de base SUP90140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUP90140E-GE3

Attributs du produit SUP90140E-GE3 SUP90N04-3M3P-GE3 SUP85N10-10P-GE3 SUP85N10-10-E3
Modèle de produit SUP90140E-GE3 SUP90N04-3M3P-GE3 SUP85N10-10P-GE3 SUP85N10-10-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4132 pF @ 100 V 5286 pF @ 20 V 4660 pF @ 50 V 6550 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 40 V 100 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 30A, 10V 3.3mOhm @ 22A, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 85A (Tc) 85A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.75W (Ta), 227W (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Numéro de produit de base SUP90140 SUP90 SUP85 SUP85
Fonction FET - - - -
Séries ThunderFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique SUP90140E-GE3 PDF

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Feuilles de données
SUP90140E.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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