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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUP70090E-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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SUP70090E-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUP70090E-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUP70090E-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
SUP70090E.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 29916

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SUP70090E-GE3
Vishay Siliconix - SUP70090E-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUP70090E-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries ThunderFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base SUP70090  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUP70090E-GE3

Attributs du produit SUP70090E-GE3 SUP70040E-GE3 SUP60N10-18P-E3 SUP65P04-15-E3
Modèle de produit SUP70090E-GE3 SUP70040E-GE3 SUP60N10-18P-E3 SUP65P04-15-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7.5V, 10V 7.5V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base SUP70090 SUP70040 SUP60 SUP65
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries ThunderFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 50 V 5100 pF @ 50 V 2600 pF @ 50 V 5400 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 18.3mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 375W (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 40 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 120A (Tc) 60A (Tc) 65A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Bulk Bulk Tube Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique SUP70090E-GE3 PDF

Téléchargez SUP70090E-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SUP70090E-GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
SUP70090E.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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