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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUM45N25-58-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUM45N25-58-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUM45N25-58-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUM45N25-58-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
SUM45N25-58.pdf
État RoHS
En stock: 11729

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUM45N25-58-E3
Vishay Siliconix - SUM45N25-58-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUM45N25-58-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  
Numéro de produit de base SUM45  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUM45N25-58-E3

Attributs du produit SUM45N25-58-E3 SUM55P06-19L-E3 SUM52N20-39P-E3 SUM40N15-38-E3
Modèle de produit SUM45N25-58-E3 SUM55P06-19L-E3 SUM52N20-39P-E3 SUM40N15-38-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 185 nC @ 15 V 60 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 55A (Tc) 52A (Tc) 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 20A, 10V 19mOhm @ 30A, 10V 38mOhm @ 20A, 15V 38mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V, 15V 6V, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) 3.12W (Ta), 250W (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 4220 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base SUM45 SUM55 SUM52 SUM40
Tension drain-source (Vdss) 250 V 60 V 200 V 150 V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique SUM45N25-58-E3 PDF

Téléchargez SUM45N25-58-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SUM45N25-58-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Assembly Site Add 9/Jun/2016.pdf
Feuilles de données
SUM45N25-58.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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