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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUM27N20-78-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUM27N20-78-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUM27N20-78-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUM27N20-78-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 27A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
SUM27N20-78-E3.pdf
État RoHS
En stock: 5400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUM27N20-78-E3
Vishay Siliconix - SUM27N20-78-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUM27N20-78-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc)  
Numéro de produit de base SUM27  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUM27N20-78-E3

Attributs du produit SUM27N20-78-E3 SUM23N15-73-E3 SUM40N02-12P-E3 SUM2135GAS2
Modèle de produit SUM27N20-78-E3 SUM23N15-73-E3 SUM40N02-12P-E3 SUM2135GAS2
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix SUM
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 150W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) 3.75W (Ta), 83W (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA -
Numéro de produit de base SUM27 SUM23 SUM40 -
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tension drain-source (Vdss) 200 V 150 V 20 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V -
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc) 23A (Tc) 40A (Tc) -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V 1290 pF @ 25 V 1000 pF @ 10 V -
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 10V 73mOhm @ 15A, 10V 12mOhm @ 20A, 10V -

Fiche technique SUM27N20-78-E3 PDF

Téléchargez SUM27N20-78-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SUM27N20-78-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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