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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUM110P04-04L-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUM110P04-04L-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUM110P04-04L-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUM110P04-04L-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
SUM110P04-04L.pdf
État RoHS
En stock: 13226

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUM110P04-04L-E3
Vishay Siliconix - SUM110P04-04L-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUM110P04-04L-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 350 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)  
Numéro de produit de base SUM110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUM110P04-04L-E3

Attributs du produit SUM110P04-04L-E3 SUM110P06-08L-E3 SUM110N10-09-E3 SUM110P04-05-E3
Modèle de produit SUM110P04-04L-E3 SUM110P06-08L-E3 SUM110N10-09-E3 SUM110P04-05-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 15W (Ta), 375W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11200 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V 8mOhm @ 30A, 10V 9.5mOhm @ 30A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 40 V 60 V 100 V 40 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base SUM110 SUM110 SUM110 SUM110
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 350 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique SUM110P04-04L-E3 PDF

Téléchargez SUM110P04-04L-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SUM110P04-04L-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Assembly Site Add 9/Jun/2016.pdf
Feuilles de données
SUM110P04-04L.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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