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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUD80460E-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUD80460E-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUD80460E-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUD80460E-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SUD80460E.pdf
État RoHS
En stock: 87210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUD80460E-GE3
Vishay Siliconix - SUD80460E-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUD80460E-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries ThunderFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44.7mOhm @ 8.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 65.2W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  
Numéro de produit de base SUD80460  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUD80460E-GE3

Attributs du produit SUD80460E-GE3 SUD50P08-25L-E3 SUD70090E-GE3 SUD50P10-43L-BE3
Modèle de produit SUD80460E-GE3 SUD50P08-25L-E3 SUD70090E-GE3 SUD50P10-43L-BE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 65.2W (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) 125W (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 50 V 4700 pF @ 40 V 1950 pF @ 50 V 4600 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 7.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries ThunderFET® TrenchFET® ThunderFET® TrenchFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44.7mOhm @ 8.3A, 10V 25.2mOhm @ 12.5A, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 43mOhm @ 9.2A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Numéro de produit de base SUD80460 SUD50 SUD70090 SUD50
Tension drain-source (Vdss) 150 V 80 V 100 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)

Fiche technique SUD80460E-GE3 PDF

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Feuilles de données
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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