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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUD25N15-52-BE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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SUD25N15-52-BE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUD25N15-52-BE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUD25N15-52-BE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SUD25N15-52-BE3.pdf
Notre certification
En stock: 36183

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SUD25N15-52-BE3
Vishay Siliconix - SUD25N15-52-BE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUD25N15-52-BE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 136W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1725 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base SUD25  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUD25N15-52-BE3

Attributs du produit SUD25N15-52-BE3 SUD25N04-25-T4-E3 SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3 MOS
Modèle de produit SUD25N15-52-BE3 SUD25N04-25-T4-E3 SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3 MOS
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Tension drain-source (Vdss) 150 V 40 V 150 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Numéro de produit de base SUD25 SUD25 SUD25 -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 136W (Tc) 3W (Ta), 33W (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 25A, 10V 52mOhm @ 5A, 10V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1725 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 1725 pF @ 25 V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 25A (Tc) 25A (Tc) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA -

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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