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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUD23N06-31L-T4-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUD23N06-31L-T4-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUD23N06-31L-T4-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUD23N06-31L-T4-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SUD23N06-31L-T4-E3.pdf
État RoHS
En stock: 111230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay Siliconix - SUD23N06-31L-T4-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUD23N06-31L-T4-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  
Numéro de produit de base SUD23  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUD23N06-31L-T4-E3

Attributs du produit SUD23N06-31L-T4-E3 SUD23N06-31-GE3 SUD25N04-25-T4-E3 SUD23N06-31L-E3
Modèle de produit SUD23N06-31L-T4-E3 SUD23N06-31-GE3 SUD25N04-25-T4-E3 SUD23N06-31L-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 40 V 60 V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 21.4A (Tc) 25A (Tc) 23A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base SUD23 SUD23 SUD25 SUD23
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 15A, 10V 31mOhm @ 15A, 10V 25mOhm @ 25A, 10V 31mOhm @ 15A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 100W (Tc) 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) 3W (Ta), 33W (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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