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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQM120N04-1M9_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQM120N04-1M9_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQM120N04-1M9_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQM120N04-1M9_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
SQM120N04-1M9-GE3.pdf
État RoHS
En stock: 20731

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQM120N04-1M9_GE3
Vishay Siliconix - SQM120N04-1M9_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQM120N04-1M9_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8790 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base SQM120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQM120N04-1M9_GE3

Attributs du produit SQM120N04-1M9_GE3 SQM120N02-1M3L_GE3 SQM120N06-3M5L_GE3 SQM120N06-2M0L-GE3
Modèle de produit SQM120N04-1M9_GE3 SQM120N02-1M3L_GE3 SQM120N06-3M5L_GE3 SQM120N06-2M0L-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V 1.3mOhm @ 40A, 10V 3.5mOhm @ 29A, 10V -
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Séries TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) -
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 20 V 60 V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8790 pF @ 25 V 14500 pF @ 10 V 14700 pF @ 25 V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Numéro de produit de base SQM120 SQM120 SQM120 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -

Fiche technique SQM120N04-1M9_GE3 PDF

Téléchargez SQM120N04-1M9_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQM120N04-1M9_GE3 - Vishay Siliconix.

Numéro de pièce PCN
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
SQM120N04-1M9-GE3.pdf
Assemblage / origine PCN
SIL-030-2014-Rev-1 31/Mar/2014.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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