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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQJA68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQJA68EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQJA68EP-T1_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQJA68EP-T1_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SO-8L
Fiche technique
SQJA68EP.pdf
État RoHS
En stock: 110630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQJA68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix - SQJA68EP-T1_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQJA68EP-T1_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8L  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte PowerPAK® SO-8L  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base SQJA68  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQJA68EP-T1_GE3

Attributs du produit SQJA68EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 SQJA76EP-T1_GE3
Modèle de produit SQJA68EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 SQJA76EP-T1_GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 68W (Tc) 55W (Tc) 68W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1390 pF @ 25 V 5250 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 40 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base SQJA68 SQJA20 SQJA72 SQJA76
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8L PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 10A, 10V 19mOhm @ 10A, 10V 2.4mOhm @ 10A, 10V
Package / Boîte PowerPAK® SO-8L PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 7.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 22.5A (Tc) 37A (Tc) 75A (Tc)

Fiche technique SQJA68EP-T1_GE3 PDF

Téléchargez SQJA68EP-T1_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQJA68EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
SQJA68EP.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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