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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSQJ968EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQJ968EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQJ968EP-T1_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQJ968EP-T1_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SO-8 Dual
Fiche technique
SQJ968EP.pdf
État RoHS
En stock: 62230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQJ968EP-T1_GE3
Vishay Siliconix - SQJ968EP-T1_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQJ968EP-T1_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33.6mOhm @ 4.8A, 10V  
Puissance - Max 42W (Tc)  
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TA)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 714pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23.5A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SQJ968  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQJ968EP-T1_GE3

Attributs du produit SQJ968EP-T1_GE3 SQJ992EP-T2_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 SQJ962EP-T1-GE3
Modèle de produit SQJ968EP-T1_GE3 SQJ992EP-T2_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 SQJ962EP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TA) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Puissance - Max 42W (Tc) 34W (Tc) 48W 25W
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V 12nC @ 10V 30nC @ 10V 14nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 100V 60V
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23.5A (Tc) 15A (Tc) 30A (Tc) 8A
Numéro de produit de base SQJ968 SQJ992 SQJ974 SQJ962
Fonction FET - - - Logic Level Gate
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 714pF @ 30V 446pF @ 30V 1050pF @ 25V 475pF @ 25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33.6mOhm @ 4.8A, 10V 56.2mOhm @ 3.7A, 10V 25.5mOhm @ 10A, 10V 60mOhm @ 4.3A, 10V

Fiche technique SQJ968EP-T1_GE3 PDF

Téléchargez SQJ968EP-T1_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQJ968EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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