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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSQJ560EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQJ560EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQJ560EP-T1_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQJ560EP-T1_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SO-8 Dual
Fiche technique
SQJ560EP.pdf
État RoHS
En stock: 58250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQJ560EP-T1_GE3
Vishay Siliconix - SQJ560EP-T1_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQJ560EP-T1_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V  
Puissance - Max 34W (Tc)  
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 Dual  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 45nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc), 18A (Tc)  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SQJ560  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_GE3

Attributs du produit SQJ560EP-T1_GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1-GE3
Modèle de produit SQJ560EP-T1_GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Tension drain-source (Vdss) 60V 40V 100V -
Puissance - Max 34W (Tc) 48W 27W -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V 27mOhm @ 6A, 10V 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V -
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc), 18A (Tc) 30A (Tc) 15A (Tc), 9.5A (Tc) -
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual -
Numéro de produit de base SQJ560 SQJ500 SQJ570 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V 1850pF @ 20V 650pF @ 25V, 600pF @ 25V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 45nC @ 10V 38.1nC @ 10V 20nC @ 10V, 15nC @ 10V -
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual -

Fiche technique SQJ560EP-T1_GE3 PDF

Téléchargez SQJ560EP-T1_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQJ560EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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