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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQJ463EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQJ463EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQJ463EP-T1_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQJ463EP-T1_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SO-8
Fiche technique
SQJ463EP.pdf
État RoHS
En stock: 17552

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQJ463EP-T1_GE3
Vishay Siliconix - SQJ463EP-T1_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQJ463EP-T1_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte PowerPAK® SO-8  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5875 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base SQJ463  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQJ463EP-T1_GE3

Attributs du produit SQJ463EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_BE3
Modèle de produit SQJ463EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 SQJ460AEP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_BE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 32A (Tc) 32A (Tc) 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 18A, 10V 25mOhm @ 10.2A, 10V 9.6mOhm @ 18A, 10V 33mOhm @ 10A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 106 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5875 pF @ 20 V 5100 pF @ 40 V 4795 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 80 V 60 V 80 V
Numéro de produit de base SQJ463 SQJ469 SQJ460 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 100W (Tc) 83W (Tc) 68W (Tc)
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique SQJ463EP-T1_GE3 PDF

Téléchargez SQJ463EP-T1_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQJ463EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Numéro de pièce PCN
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Process Change 11/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
SQJ463EP.pdf

Mode de transport

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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